IRL3705NSTRR
IRL3705NSTRR
Modèle de produit:
IRL3705NSTRR
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
6543 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IRL3705NSTRR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D2PAK
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 46A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.8W (Ta), 170W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4V, 10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:89A (Tc)
Email:[email protected]

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