IRFN214BTA_FP001
- Modèle de produit:
- IRFN214BTA_FP001
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 77312 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IRFN214BTA_FP001.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 300mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.8W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 275pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 250V |
| Description détaillée: | N-Channel 250V 600mA (Ta) 1.8W (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 600mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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