IRFH4255DTRPBF
IRFH4255DTRPBF
Modèle de produit:
IRFH4255DTRPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
70088 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IRFH4255DTRPBF.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 35µA
Package composant fournisseur:PQFN (5x6)
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 30A, 10V
Puissance - Max:31W, 38W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:IRFH4255DTRPBFTR
SP001575678
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1314pF @ 13V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:64A, 105A
Numéro de pièce de base:IRFH4255
Email:[email protected]

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