IRF6811STRPBF
- Modèle de produit:
- IRF6811STRPBF
- La description:
- MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 36486 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IRF6811STRPBF.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 35µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DIRECTFET™ SQ |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.7 mOhm @ 19A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Autres noms: | IRF6811STRPBF-ND IRF6811STRPBFTR SP001530224 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1590pF @ 13V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 25V |
| Description détaillée: | N-Channel 25V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 19A (Ta), 74A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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