IRF5810TR
- Modèle de produit:
- IRF5810TR
- La description:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 62135 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IRF5810TR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 960mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 16V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.6nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.9A |
| Email: | [email protected] |
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