État | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | P-TO251-3 |
Séries: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.8 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 46W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Autres noms: | IPU13N03LA IPU13N03LAGIN IPU13N03LAGX IPU13N03LAGXTIN IPU13N03LAGXTIN-ND IPU13N03LAIN IPU13N03LAIN-ND SP000017538 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1043pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 25V |
Description détaillée: | N-Channel 25V 30A (Tc) 46W (Tc) Through Hole P-TO251-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |