IPP410N30NAKSA1
IPP410N30NAKSA1
Modèle de produit:
IPP410N30NAKSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH TO220-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
20348 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPP410N30NAKSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO-220-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:41 mOhm @ 44A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:SP001082134
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7180pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):300V
Description détaillée:N-Channel 300V 44A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:44A (Tc)
Email:[email protected]

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