IPN60R3K4CEATMA1
- Modèle de produit:
- IPN60R3K4CEATMA1
- La description:
- MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 50847 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IPN60R3K4CEATMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 40µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-SOT223 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 5W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SOT-223-3 |
| Autres noms: | IPN60R3K4CEATMA1CT |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 93pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.6nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | Super Junction |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| Description détaillée: | N-Channel 600V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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