État | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
Séries: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 63W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms: | IPB60R600C6 IPB60R600C6-ND IPB60R600C6ATMA1-ND IPB60R600C6ATMA1TR IPB60R600C6TR-ND SP000660626 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.5nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
Description détaillée: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |