HN4A51JTE85LF
- Modèle de produit:
- HN4A51JTE85LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 58764 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- HN4A51JTE85LF.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type: | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur: | SMV |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SC-74A, SOT-753 |
| Autres noms: | HN4A51JTE85LFCT |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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