GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
Modèle de produit:
GB01SLT12-220
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
38664 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
GB01SLT12-220.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.8V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max):1200V
Package composant fournisseur:TO-220AC
La vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):0ns
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-2
Autres noms:1242-1125
GB01SLT12220
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 175°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Silicon Carbide Schottky
Description détaillée:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 1A Through Hole TO-220AC
Courant - fuite, inverse à Vr:2µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io):1A
Capacité à Vr, F:69pF @ 1V, 1MHz
Numéro de pièce de base:GB01SLT12
Email:[email protected]

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