GA35XCP12-247
GA35XCP12-247
Modèle de produit:
GA35XCP12-247
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
IGBT 1200V SOT247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
26672 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
GA35XCP12-247.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3V @ 15V, 35A
Condition de test:800V, 35A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:-
énergie de commutation:2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247AB
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):36ns
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:1242-1141
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:50nC
Description détaillée:IGBT PT 1200V Through Hole TO-247AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm):35A
Email:[email protected]

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