FQU4N50TU-WS
- Modèle de produit:
- FQU4N50TU-WS
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 49453 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- FQU4N50TU-WS.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I-PAK |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms: | FQU4N50TU_WS FQU4N50TU_WS-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 460pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| Description détaillée: | N-Channel 500V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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