FP7G75US60
- Modèle de produit:
- FP7G75US60
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MODULE IGBT 600V 75A EPM7
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14893 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- FP7G75US60.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.8V @ 15V, 75A |
| Package composant fournisseur: | EPM7 |
| Séries: | Power-SPM™ |
| Puissance - Max: | 310W |
| Package / Boîte: | EPM7 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC thermistance: | No |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 4.515nF @ 30V |
| Contribution: | Standard |
| type de IGBT: | - |
| Description détaillée: | IGBT Module Half Bridge 600V 75A 310W Chassis Mount EPM7 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 250µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 75A |
| Configuration: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
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