FDT434P
- Modèle de produit:
- FDT434P
- Fabricant:
- La description:
- MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 65186 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.FDT434P.pdf2.FDT434P.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Test: | 1187pF @ 10V |
| Tension - Ventilation: | SOT-223-4 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 50 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (Max): | 2.5V, 4.5V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | PowerTrench® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6A (Ta) |
| Polarisation: | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms: | FDT434P-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 9 Weeks |
| Référence fabricant: | FDT434P |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 19nC @ 4.5V |
| type de IGBT: | ±8V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1V @ 250µA |
| Fonction FET: | P-Channel |
| Description élargie: | P-Channel 20V 6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20V |
| Ratio de capacité: | 3W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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