FDS6692A
FDS6692A
Modèle de produit:
FDS6692A
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
59070 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDS6692A.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.47W (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:FDS6692ACT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1610pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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