FDMC8010ET30
FDMC8010ET30
Modèle de produit:
FDMC8010ET30
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
47638 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMC8010ET30.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:Power33
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.8W (Ta), 65W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:FDMC8010ET30TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5860pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:94nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 30A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:30A (Ta), 174A (Tc)
Email:[email protected]

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