FDC658P
- Modèle de produit:
- FDC658P
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 24160 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- FDC658P.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SuperSOT™-6 |
| Séries: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.6W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | FDC658P-ND FDC658PTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 42 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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