FCP360N65S3R0
- Modèle de produit:
- FCP360N65S3R0
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- SUPERFET3 650V TO220 PKG
- quantité disponible:
- 68208 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- FCP360N65S3R0.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220-3 |
| Séries: | SuperFET® III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 83W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Statut sans plomb: | Lead free |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 730pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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