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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2031ENGR
EPC2031ENGR
EPC2031ENGR
Modèle de produit:
EPC2031ENGR
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18420 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2031ENGR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Test:1800pF @ 300V
Tension - Ventilation:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:2.6 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (Max):5V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Séries:eGaN®
État RoHS:Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs:31A (Ta)
Polarisation:Die
Autres noms:917-EPC2031ENGR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:EPC2031ENGR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:17nC @ 5V
type de IGBT:+6V, -4V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 15mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 60V 31A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss):-
La description:TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60V
Ratio de capacité:-
Email:[email protected]

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