EMF5T2R
- Modèle de produit:
- EMF5T2R
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16193 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.EMF5T2R.pdf2.EMF5T2R.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V, 12V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor Type: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Package composant fournisseur: | EMT6 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 47 kOhms |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms: | EMF5T2R-ND EMF5T2RTR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 250MHz, 260MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
| Numéro de pièce de base: | *MF5 |
| Email: | [email protected] |
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