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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > EDF8164A3PF-JD-F-R TR
EDF8164A3PF-JD-F-R TR
Modèle de produit:
EDF8164A3PF-JD-F-R TR
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
71145 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EDF8164A3PF-JD-F-R TR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.14 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR3
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Autres noms:EDF8164A3PF-JD-F-R TR-ND
EDF8164A3PF-JD-F-RTR
Température de fonctionnement:-30°C ~ 85°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:8Gb (128M x 64)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 933MHz
Fréquence d'horloge:933MHz
Email:[email protected]

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