DNA30E2200FE
- Modèle de produit:
- DNA30E2200FE
- Fabricant:
- IXYS Corporation
- La description:
- DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19370 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- DNA30E2200FE.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 30A |
| Tension - Ventilation: | i4-PAC |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 7pF @ 700V, 1MHz |
| Polarisation: | TO-251-2, IPak |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | DNA30E2200FE |
| Description élargie: | Diode Standard 2200V (2.2kV) 30A Through Hole i4-PAC |
| Configuration diode: | 40µA @ 2200V |
| La description: | DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.25V @ 30A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 2200V (2.2kV) |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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