DMT6018LDR-13
- Modèle de produit:
- DMT6018LDR-13
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 34644 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- DMT6018LDR-13.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | V-DFN3030-8 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 17 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Puissance - Max: | 1.9W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 869pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Standard |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 11.4A (Ta) 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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