DMN2600UFB-7
- Modèle de produit:
- DMN2600UFB-7
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 44784 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- DMN2600UFB-7.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 540mW (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 3-UFDFN |
| Autres noms: | DMN2600UFB-7DIDKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 40 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 70.13pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.85nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 25V |
| Description détaillée: | N-Channel 25V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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