DMN2011UFX-7
DMN2011UFX-7
Modèle de produit:
DMN2011UFX-7
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
65208 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DMN2011UFX-7.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Package composant fournisseur:V-DFN2050-4
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Puissance - Max:2.1W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:4-VFDFN Exposed Pad
Autres noms:DMN2011UFX-7DITR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2248pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12.2A (Ta)
Email:[email protected]

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