Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > DMG1026UVQ-7
DMG1026UVQ-7
Modèle de produit:
DMG1026UVQ-7
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
39829 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DMG1026UVQ-7.pdf
Enquête

introduction

We can supply DMG1026UVQ-7, use the request quote form to request DMG1026UVQ-7 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMG1026UVQ-7.The price and lead time for DMG1026UVQ-7 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMG1026UVQ-7.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:1.8V @ 250µA
Package composant fournisseur:SOT-563
Séries:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.8 Ohm @ 500mA, 10V
Puissance - Max:650mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:32pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.45pC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 440mA (Ta) 650mW Surface Mount SOT-563
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:440mA (Ta)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes DMG1026UVQ-7

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
DMG204B00R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6 Enquête
DMG1024UV-7 Image DMG1024UV-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 Enquête
DMG1016VQ-13 Image DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Enquête
DMG204A00R Panasonic TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6 Enquête
DMG2301L-13 Image DMG2301L-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Enquête
DMG1013UWQ-7 Image DMG1013UWQ-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 Enquête
DMG1029SV-7 Image DMG1029SV-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 60V SOT563 Enquête
DMG1026UV-7 Image DMG1026UV-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 Enquête
DMG204B10R Panasonic TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6 Enquête
DMG1013UWQ-13 Image DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated MOSFET PCH 20V 820MA SOT323 Enquête
DMG1013UW-7 Image DMG1013UW-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 Enquête
DMG204020R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6 Enquête
DMG214010R Panasonic TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6 Enquête
DMG1023UV-7 Image DMG1023UV-7 Diodes Incorporated MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 Enquête
DMG1016VQ-7 Image DMG1016VQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Enquête
DMG1016UDW-7 Image DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Enquête
DMG1016V-7 Image DMG1016V-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Enquête
DMG204010R Image DMG204010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6 Enquête
DMG201020R Image DMG201020R Panasonic TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B Enquête
DMG10N60SCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB Enquête

Latest Nouvelles