CY62147GN18-55BVXI
- Modèle de produit:
- CY62147GN18-55BVXI
- Fabricant:
- Cypress Semiconductor
- La description:
- IC SRAM 4M PARALLEL
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 20224 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- CY62147GN18-55BVXI.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 55ns |
| Tension - Alimentation: | 1.65 V ~ 2.2 V |
| La technologie: | SRAM - Asynchronous |
| Package composant fournisseur: | 48-VFBGA (6x8) |
| Séries: | MoBL® |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 48-VFBGA |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 4Mb (256K x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 11 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 48-VFBGA (6x8) |
| Temps d'accès: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
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