CY14B104N-BA25XIT
- Modèle de produit:
- CY14B104N-BA25XIT
- Fabricant:
- Cypress Semiconductor
- La description:
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 45077 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- CY14B104N-BA25XIT.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 25ns |
| Tension - Alimentation: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Package composant fournisseur: | 48-FBGA (6x10) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 48-TFBGA |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 4Mb (256K x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | NVSRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 25ns 48-FBGA (6x10) |
| Numéro de pièce de base: | CY14B104 |
| Temps d'accès: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
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