CSD18511KTTT
- Modèle de produit:
- CSD18511KTTT
- Fabricant:
- TI
- La description:
- 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 45607 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- CSD18511KTTT.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DDPAK/TO-263-3 |
| Séries: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 188W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | 296-47449-2 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 2 (1 Year) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 35 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5940pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| Description détaillée: | N-Channel 40V 110A (Ta), 194A (Tc) 188W (Ta) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 110A (Ta), 194A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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