CSD16570Q5BT
- Modèle de produit:
- CSD16570Q5BT
- Fabricant:
- TI
- La description:
- MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 23829 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- CSD16570Q5BT.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Test: | 14000pF @ 12V |
| Tension - Ventilation: | 8-VSON (5x6) |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 0.59 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | NexFET™ |
| État RoHS: | Digi-Reel® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100A (Ta) |
| Polarisation: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | 296-38335-6 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | CSD16570Q5BT |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 250nC @ 10V |
| type de IGBT: | ±20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.9V @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6) |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 25V |
| Ratio de capacité: | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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