CSD16570Q5BT
Modelo do Produto:
CSD16570Q5BT
Fabricante:
TI
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
23829 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
CSD16570Q5BT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Teste:14000pF @ 12V
Tensão - Breakdown:8-VSON (5x6)
VGS (th) (Max) @ Id:0.59 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (Max):4.5V, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:NexFET™
Status de RoHS:Digi-Reel®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100A (Ta)
Polarização:8-PowerTDFN
Outros nomes:296-38335-6
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD16570Q5BT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.9V @ 250µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25V
Rácio de capacitância:3.2W (Ta), 195W (Tc)
Email:[email protected]

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