CSD16401Q5T
Modèle de produit:
CSD16401Q5T
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17579 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CSD16401Q5T.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:1.9V @ 250µA
Vgs (Max):+16V, -12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSON-CLIP (5x6)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.1W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 12.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:N-Channel 25V 100A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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