CSD13383F4
Modèle de produit:
CSD13383F4
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
58684 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CSD13383F4.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:1.25V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:3-PICOSTAR
Séries:FemtoFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:44 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max):500mW (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:3-XFDFN
Autres noms:296-39991-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:291pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.6nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:N-Channel 12V 2.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

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