CDM22010-650 SL
CDM22010-650 SL
Modèle de produit:
CDM22010-650 SL
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 10A 650V TO220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
21265 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CDM22010-650 SL.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max):2W (Ta), 156W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:CDM22010-650 SL PBFREE
CDM22010-650 SL-ND
CDM22010-650SL
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1168pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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