BYV10EX-600PQ
- Modèle de produit:
- BYV10EX-600PQ
- Fabricant:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 46740 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- BYV10EX-600PQ.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 10A |
| Tension - Ventilation: | TO-220F |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | TO-220-2 Full Pack |
| Autres noms: | 1740-1257 568-11677 568-11677-ND 934068914127 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 50ns |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | BYV10EX-600PQ |
| Description élargie: | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220F |
| Configuration diode: | 10µA @ 600V |
| La description: | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 2V @ 10A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 600V |
| Capacité à Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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