État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | I2PAK |
Séries: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 234W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Autres noms: | 1727-7244 568-9852-5 568-9852-5-ND 934066417127 BUK7E3R140E127 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6200pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 79nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 40V |
Description détaillée: | N-Channel 40V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |