BTS113ANKSA1
BTS113ANKSA1
Modèle de produit:
BTS113ANKSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
5472 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BTS113ANKSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:P-TO220AB
Séries:TEMPFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):40W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 25V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 11.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole P-TO220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11.5A (Tc)
Email:[email protected]

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