BS2100F-E2
- Modèle de produit:
- BS2100F-E2
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- IC DVR IGBT/MOSFET
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15731 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- BS2100F-E2.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Alimentation: | 10 V ~ 18 V |
| Package composant fournisseur: | 8-SOP |
| Séries: | - |
| Rise / Fall Time (Typ): | 200ns, 100ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Autres noms: | BS2100F-E2TR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs: | 2 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tension logique - VIL, VIH: | 1V, 2.6V |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Non-Inverting |
| Côté haut potentiel - Max (Bootstrap): | 600V |
| Type de porte: | N-Channel MOSFET |
| Configuration pilotée: | Half-Bridge |
| Description détaillée: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP |
| Current - Peak Output (Source, Évier): | 60mA, 130mA |
| courant de charge: | Independent |
| Email: | [email protected] |
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