BCR555E6327HTSA1
Modèle de produit:
BCR555E6327HTSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18764 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BCR555E6327HTSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SOT-23-3
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:330mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:BCR 555 E6327
BCR 555 E6327-ND
BCR 555 E6327TR-ND
BCR555E6327
BCR555E6327BTSA1
BCR555E6327HTSA1TR
BCR555E6327XT
SP000010855
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:150MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Numéro de pièce de base:BCR555
Email:[email protected]

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