BCR116WE6327BTSA1
BCR116WE6327BTSA1
Modèle de produit:
BCR116WE6327BTSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
41489 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BCR116WE6327BTSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:PG-SOT323-3
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:250mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-70, SOT-323
Autres noms:BCR 116W E6327
BCR 116W E6327-ND
BCR116WE6327
BCR116WE6327BTSA1TR-NDTR
BCR116WE6327XT
SP000012264
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:150MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:BCR116
Email:[email protected]

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