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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTM10DHM05G
APTM10DHM05G
Modèle de produit:
APTM10DHM05G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
45679 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APTM10DHM05G.pdf2.APTM10DHM05G.pdf
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introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 5mA
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 125A, 10V
Puissance - Max:780W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:20000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:700nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:278A
Email:[email protected]

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