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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM100UM45DAG
APTM100UM45DAG
APTM100UM45DAG
Modèle de produit:
APTM100UM45DAG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
69691 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APTM100UM45DAG.pdf2.APTM100UM45DAG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 30mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SP6
Séries:POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 107.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):5000W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:42700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1602nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 215A (Tc) 5000W (Tc) Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:215A (Tc)
Email:[email protected]

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