Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT40GP60SG
APT40GP60SG
APT40GP60SG
Modèle de produit:
APT40GP60SG
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 100A 543W D3PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
34626 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT40GP60SG.pdf
Enquête

introduction

We can supply APT40GP60SG, use the request quote form to request APT40GP60SG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT40GP60SG.The price and lead time for APT40GP60SG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT40GP60SG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 40A
Condition de test:400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:20ns/64ns
énergie de commutation:385µJ (on), 352µJ (off)
Package composant fournisseur:D3 [S]
Séries:POWER MOS 7®
Puissance - Max:543W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:135nC
Description détaillée:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):160A
Courant - Collecteur (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT40GP60SG

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT40GT60BRG Image APT40GT60BRG Microsemi IGBT 600V 80A 345W TO247 Enquête
APT40GP90BG Image APT40GP90BG Microsemi IGBT 900V 100A 543W TO247 Enquête
APT40GR120B Image APT40GR120B Microsemi IGBT 1200V 88A 500W TO247 Enquête
APT40GP90J Image APT40GP90J Microsemi IGBT 900V 68A 284W SOT227 Enquête
APT40GP60JDQ2 Image APT40GP60JDQ2 Microsemi IGBT 600V 86A 284W SOT227 Enquête
APT40GR120B2SCD10 Image APT40GR120B2SCD10 Microsemi IGBT 1200V 88A 500W TO247 Enquête
APT40DS10HJ Image APT40DS10HJ Microsemi MOD DIODE 100V SOT-227 Enquête
APT40GR120B2D30 Image APT40GR120B2D30 Microsemi IGBT 1200V 88A 500W TO247 Enquête
APT40GR120S Image APT40GR120S Microsemi IGBT 1200V 88A 500W D3PAK Enquête
APT40GP60B2DQ2G Image APT40GP60B2DQ2G Microsemi IGBT 600V 100A 543W TMAX Enquête
APT40GP60BG Image APT40GP60BG Microsemi IGBT 600V 100A 543W TO247 Enquête
APT40GLQ120JCU2 Image APT40GLQ120JCU2 Microsemi POWER MOD 1200V 80A SOT227 Enquête
APT40GP90B2DQ2G Image APT40GP90B2DQ2G Microsemi IGBT 900V 101A 543W TMAX Enquête
APT40DS04HJ Image APT40DS04HJ Microsemi MOD DIODE 45V SOT-227 Enquête
APT40GF120JRDQ2 Image APT40GF120JRDQ2 Microsemi IGBT 1200V 77A 347W SOT227 Enquête
APT40M35JVFR Image APT40M35JVFR Microsemi MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 Enquête
APT40GL120JU3 Image APT40GL120JU3 Microsemi MOD IGBT 1200V 65A SOT-227 Enquête
APT40DR160HJ Image APT40DR160HJ Microsemi POWER MODULE FULL BRIDGE SOT-227 Enquête
APT40GP90JDQ2 Image APT40GP90JDQ2 Microsemi IGBT 900V 64A 284W SOT227 Enquête
APT40GL120JU2 Image APT40GL120JU2 Microsemi MOD IGBT 1200V 65A SOT-227 Enquête

Latest Nouvelles