2SA965-Y,T6KOJPF(J
- Modèle de produit:
- 2SA965-Y,T6KOJPF(J
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 34079 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 2SA965-Y,T6KOJPF(J.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | LSTM |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 900mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Autres noms: | 2SA965-YT6KOJPF(J 2SA965YT6KOJPFJ |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 120MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 100mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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