État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 5mA, 50mA |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 625mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition: | 200MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 50mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
Numéro de pièce de base: | 2N6517 |
Email: | [email protected] |