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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2N5012S
2N5012S
Modèle de produit:
2N5012S
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANSISTOR NPN TO-39
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
26530 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2N5012S.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):700V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 5mA, 25mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-39 (TO-205AD)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/727
Puissance - Max:1W
Package / Boîte:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):Not Applicable
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 25mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):200mA
Email:[email protected]

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