2DB1182Q-13
2DB1182Q-13
Modèle de produit:
2DB1182Q-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
TRANS PNP 32V 2A TO252
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
59364 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2DB1182Q-13.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:800mV @ 200mA, 2A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-252
Séries:-
Puissance - Max:10W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:2DB1182Q-13DITR
2DB1182Q13
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:110MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 2A 110MHz 10W Surface Mount TO-252
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 500mA, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):2A
Numéro de pièce de base:2DB1182
Email:[email protected]

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