1N6625E3
1N6625E3
Modèle de produit:
1N6625E3
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
31077 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1N6625E3.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Tension - Ventilation:A, Axial
Séries:-
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:A, Axial
Température d'utilisation - Jonction:80ns
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:1N6625E3
Description élargie:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
Configuration diode:1µA @ 1000V
La description:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr:1.95V @ 1.5A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):1100V (1.1kV)
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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