1N5622US
- Modèle de produit:
- 1N5622US
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 10822 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1N5622US.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1A |
| Tension - Ventilation: | D-5A |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | SQ-MELF, A |
| Température d'utilisation - Jonction: | 2µs |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Référence fabricant: | 1N5622US |
| Description élargie: | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A |
| Configuration diode: | 500nA @ 1000V |
| La description: | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.3V @ 3A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 1000V (1kV) |
| Capacité à Vr, F: | -65°C ~ 200°C |
| Email: | [email protected] |
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